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結(jié)果: 找到相關(guān)主題 639 個(gè)
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整流mos管,135v200a場(chǎng)效應(yīng)管,toll封裝,?KCT2213A參數(shù)-KIA MOS管
KCT2213A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓135V，漏極電流200A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.9mΩ，低柵極電荷（151nC），最小化開(kāi)關(guān)損耗，性能卓越；改進(jìn)的dv/dt能力測(cè)試，高堅(jiān)固性，在同步整流、電機(jī)控制、鋰電池保護(hù)板中廣泛應(yīng)用，高效穩(wěn)定?；封裝形式...www.enlve.com/article/detail/5753.html 2025-06-26
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穩(wěn)壓二極管(zener diode)的原理,工作狀態(tài)-KIA MOS管
穩(wěn)壓二極管(zener diode)，又叫齊納二極管；利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，呈現(xiàn)極小的電阻，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，起穩(wěn)壓作用。www.enlve.com/article/detail/5752.html 2025-06-26
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單結(jié)晶體管(ujt)的工作原理,結(jié)構(gòu)特性詳解-KIA MOS管
單結(jié)晶體管有三個(gè)電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發(fā)射極e。單結(jié)晶體管雖然有三個(gè)電極，但在結(jié)構(gòu)上只有一個(gè)PN結(jié)，它是在一塊高電阻率的N型硅基片一側(cè)的兩端，各引出一個(gè)電極，分別稱第一基極b1和 第二基極b2。在硅片的另一側(cè)較靠近b2處，用擴(kuò)散法摻入P型...www.enlve.com/article/detail/5751.html 2025-06-26
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dc直流轉(zhuǎn)換器,320a40v,?1004mos管,KCT1004M參數(shù)-KIA MOS管
KCT1004M場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，高壓器件新技術(shù)，低導(dǎo)通電阻和低傳導(dǎo)損耗，性能優(yōu)越；?極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 0.62mΩ，超低柵極電荷，降低驅(qū)動(dòng)需求，最小化開(kāi)關(guān)損耗；100%經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試，可靠堅(jiān)固，在DC直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)...www.enlve.com/article/detail/5750.html 2025-06-25
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MOS管開(kāi)啟電壓定義,mos管開(kāi)啟電壓一般多少-KIA MOS管
在電路中，MOS管的開(kāi)啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的柵源電壓（VGS）的最小值。對(duì)于NMOS管，當(dāng)VGS大于Vth時(shí)，管子開(kāi)始導(dǎo)通。www.enlve.com/article/detail/5749.html 2025-06-25
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FET詳解,MOSFET結(jié)構(gòu)原理,場(chǎng)效應(yīng)管作用-KIA MOS管
場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)，有很高的輸入阻抗，較大的功率增益，由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極，柵極，漏極，源極。www.enlve.com/article/detail/5748.html 2025-06-25
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鋰電池保護(hù)板,?80v130a場(chǎng)效應(yīng)管,2908mos管,?KNP2908C-KIA MOS管
KNP2908C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ，采用KIA的先進(jìn)技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.5mΩ，低柵極電荷（典型值182nC)，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，最小化開(kāi)關(guān)損耗；具有快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間、出色的雪崩特性，高效穩(wěn)定；高耐用性、改進(jìn)的dv/dt能力、1...www.enlve.com/article/detail/5747.html 2025-06-24
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ao3400參數(shù),30v5.8a mos管,KIA3400參數(shù)代換-KIA MOS管
ao3400場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)?KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開(kāi)關(guān)損耗，提高效率；符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)、綠色環(huán)保，穩(wěn)定可靠；適用于電源管理、開(kāi)關(guān)控制、功率放大、高頻信...www.enlve.com/article/detail/5746.html 2025-06-24
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ESD靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn),ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和方法-KIA MOS管
1、esd靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)是GB21148-2020。這是我國(guó)關(guān)于靜電防護(hù)的主要標(biāo)準(zhǔn)之一，它規(guī)定了靜電防護(hù)的相關(guān)要求和測(cè)試方法該標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)調(diào)了對(duì)防靜電電阻值的要求。2、防靜電國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB21148-2020 對(duì)防靜電電阻值要求為大于100kΩ和小于或等于1000MΩ，即100kΩ<電阻值≤...www.enlve.com/article/detail/5745.html 2025-06-24
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逆變器電源管理,150a80vmos管,KNM2808A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
KNM2808A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流150A ，RDS（ON）值為4mΩ，極低RDS（ON）和優(yōu)秀柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，最小化開(kāi)關(guān)損耗；高輸入阻抗、低功耗、開(kāi)關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；100%雪崩測(cè)試，可靠且堅(jiān)固，無(wú)鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)），在...www.enlve.com/article/detail/5744.html 2025-06-23
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氙氣燈安定器電路原理,作用詳解-KIA MOS管
氙氣燈安定器的原理是將汽車蓄電池的12V直流電壓，通過(guò)一系列電子轉(zhuǎn)換與控制步驟，產(chǎn)生一個(gè)瞬間23000V的點(diǎn)火高壓對(duì)燈頭進(jìn)行點(diǎn)火，點(diǎn)亮后再維持 85V 的交流電壓。www.enlve.com/article/detail/5743.html 2025-06-23
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ss34二極管參數(shù)封裝圖,ss34二極管作用-KIA MOS管
SS34肖特基二極管，具有高速開(kāi)關(guān)特性和低正向壓降，反向擊穿電壓可達(dá)40V，正向電流最大可達(dá)3A，適用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路。ss34二極管常用在小電流的（模型）電調(diào)上，用于電路瞬間整流。www.enlve.com/article/detail/5742.html 2025-06-23
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同步整流,60v100a,3206場(chǎng)效應(yīng)管,KCY3206B參數(shù)-KIA MOS管
KCY3206B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流100A，使用先進(jìn)的SGT MOSFET技術(shù)，高密度單元設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)?極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 2.4mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，100% UIS測(cè)試通過(guò)、100%▽VDS測(cè)試通過(guò)，?高效穩(wěn)定；適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理功能、...www.enlve.com/article/detail/5741.html 2025-06-20
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二極管特性曲線,伏安特性曲線-KIA MOS管
當(dāng)正向電壓超過(guò)某一數(shù)值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導(dǎo)通電壓。在室溫下，硅管的V th約為0.5V，鍺管的V th約為0.1V。大于導(dǎo)通電壓的區(qū)域稱為導(dǎo)通區(qū)。www.enlve.com/article/detail/5740.html 2025-06-20